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安森美携手格罗方德开发下一代氮化镓功率器件
前言：
此次合作拓展了安森美功率产品组合，涵盖面向AI数据中心、汽车、航空航天及其他关键市场的高性能650V横向氮化镓（GaN）解决方案。
2025年12月19日--安森美（onsemi，美国纳斯达克股票代号：ON）宣布，已与格罗方德（GlobalFoundries，纳斯达克代码：GFS，简称GF）签署合作协议。双方将基于格罗方德最先进的200毫米增强型硅基GaN工艺，共同研发并制造先进GaN功率产品，合作将从650V器件开始。此次合作将加速安森美高性能GaN器件及集成功率级的技术路线图，通过扩充高压产品组合，满足AI数据中心、电动汽车、可再生能源、工业系统以及航空航天等领域日益增长的功率需求。
“此次合作将安森美的系统及产品专业积淀，与格罗方德先进的GaN工艺相结合，为高增长市场打造全新650V功率器件。这些GaN产品搭配我们的硅基驱动器和控制器，将助力客户实现创新，为AI数据中心、电动汽车、航天应用等场景构建更小、更高能效的功率系统。我们计划于2026年上半年开始向客户提供样品，并快速扩大至量产规模。”安森美企业战略高级副总裁Dinesh Ramanathan表示。
“我们将200毫米硅基GaN平台与安森美深厚的系统和产品专业积淀相结合，不仅加速了高效解决方案的落地，更为数据中心、汽车、工业、航空航天等关键市场构建了更具韧性的供应链。以安森美为关键合作伙伴，我们将持续推动GaN半导体技术升级，满足人工智能、电气化和可持续能源领域不断演变的需求。”格罗方德首席商务官Mike Hogan说。
安森美将其行业领先的硅基驱动器、控制器和强化散热封装技术，与格罗方德的650V GaN技术平台相结合，打造出更高功率密度和能效的GaN器件。产品应用场景具体包括：AI数据中心电源及其DC-DC转换器、电动汽车车载充电机及其DC-DC转换器、微型光伏逆变器和储能系统，以及工业与航空航天领域的电机驱动器和DC-DC转换器等。
此次合作进一步扩充了安森美领先的功率半导体产品组合，如今已涵盖了全谱系GaN技术——从低压、中压、高压横向GaN，到超高压垂直GaN。这一全面布局让系统设计人员能够构建下一代电源架构，在更小的尺寸内实现更高的功率输出。GaN技术的核心优势包括：
更高开关频率——通过更高的开关频率运行，GaN技术能帮助设计人员减少元器件数量、缩小系统尺寸并降低成本，同时提升能效和散热性能。
双向导通能力——GaN的双向导通特性支持全新拓扑结构，可替代多达四个传统单向晶体管，从而降低成本并简化设计。
集成化功能——在单个封装内集成GaN FET与驱动器、控制器、隔离和保护功能，可缩短设计周期并降低电磁干扰。强化散热封装和优化的栅极驱动器，即使在高开关速度下也能保障性能和可靠性。
供货情况
安森美计划于2026年上半年开始提供样品。
关于格罗方德
格罗方德半导体（GF）是全球领先的半导体制造商，其产品支撑着人们的生活、工作与互联。GF通过创新与客户合作，为汽车、智能移动设备、物联网、通信基础设施及其他高增长市场提供更节能、高性能的产品。凭借覆盖美国、欧洲和亚洲的全球制造网络，GF已成为全球客户值得信赖的可靠合作伙伴。 其才华横溢的全球团队始终以安全、长效和可持续为坚定宗旨，每日创造卓越成果。了解更多信息，请访问https://gf.com/zh/。
关于安森美（onsemi）
安森美（onsemi, 纳斯达克股票代号：ON）致力推动颠覆性创新，打造更美好的未来。公司关注汽车和工业终端市场的大趋势，加速推动汽车功能电子化和汽车安全、可持续电网、工业自动化以及5G和云基础设施等细分领域的变革创新。安森美提供高度差异化的创新产品组合以及智能电源和智能感知技术，以解决全球最复杂的挑战，引领创造更安全、更清洁、更智能的世界。安森美被纳入纳斯达克100指数和标普500指数。了解更多关于安森美的信息，请访问：http://www.onsemi.cn。
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